快科技3月18日消息，近日，一年一度的CFMS | MemoryS 2025存储峰会在深圳举办，快科技借机采访了铠侠电子的多位高管，共同探讨了对闪存行业发展的思考，以及铠侠的发展重点。
参与本次采访的有：铠侠株式会社CTO柳茂知、铠侠电子（中国）董事长兼总裁岡本成之、铠侠电子（中国）副总裁天野竜二、铠侠电子（中国）闪存颗粒技术统括部总经理大久保贵史、铠侠电子（中国）闪存颗粒市场统括部高级总监钱阿蒙。
首先，NAND闪存厂商近年来在堆叠层数的比拼上非常卷，几乎都宣布了300层以上的产品，那如此堆叠对闪存性能提升有多大帮助？是否有上限呢？除了层数还有哪些很重要但很容易被忽略的角度？
铠侠对此表示，虽然300+层堆叠的闪存已经出现了很多，但都还停留在纸面上，并未量产。
就铠侠自己而言，现阶段的主流产品还是第五代的BiCS5，堆叠层数为112层，比如最新的PM7 SAS-4 SSD、CM7 PCIe 5.0 SSD，用的都是它，单盘最大容量可以做到32TB TLC。
218层堆叠的第八代BiCS 8已从2024年7月开始量产，今年将加大批量供货。
目前，BiCS 8的生产在日本三重县四日市的工厂内进行，这也是铠侠的主要工厂，而从今年秋天开始，日本北上工厂也会开始生产BiCS 8。
铠侠预计，至少最近一年左右，BiCS 5、BiCS 8两款产品都是供货主力。
铠侠强调，第八代BiCS8闪存可以堆叠到218层，不仅通过更多层数扩大了容量，还借助将平面方向的定标，以及双晶圆的键合技术等，实现了更高的存储密度，因此具有足够的成本竞争力，此外速度的提高也是闪存发展的一个关键点。
铠侠刚刚发布的LC9 122.88TB，作为业界第二款达到如此高容量的SSD，就首次采用了其第八代BiCS NAND架构的2Tb QLC闪存。
它支持PCIe 5.0 x4、NVMe 2.0、NVMe-MI，接口为U.2，顺序读写速度分别为12GB/s、3GB/s，每天全盘写入0.3次，适合读取密集型应用。
近期，铠侠还同时宣布了第九代BiCS9、第十代BiCS10，开启了双路线并行的全新策略。
其中，BiCS9延续了旧产线生产的存储阵列，可大大提高复用率，降低成本，同时搭配最新的CMOS制程，使得I/O速度提高到4800MT/s。
BiCS10则同时升级了存储阵列、CMOS制程，最多可堆叠332层，存储密度提升超过59％而高达每平方毫米29Gb，同样支持4800MT/s，从而带来更高的性能、更高的能效。
铠侠表示，BiCS10的投产计划还未确定，将根据市场情况而定，而随着堆叠层数的增加，蚀刻难度会迅速增加，所以最需要做的工作之一，就是在蚀刻工艺方面。
更进一步，铠侠、三星都规划了1000层左右的未来闪存架构，预计2030年左右可以实现。
铠侠表示，从技术来讲，1000层以上的闪存堆叠是可以实现的，但是取得性能和成本之间的适当平衡非常重要，也看市场对闪存密度、容量、性能的综合需求，再去进行响应和开发。
由于提高堆叠层数会大大增加成本，技术难度也较大，铠侠将推进包括水平方向在内的存储密度。
铠侠还强调，其实对于闪存来说，重要的不是增加堆叠层数，而是提高存储密度。为此，铠侠正通过更好地平衡堆叠、横向收缩、CBA技术等来开发新产品，进一步提升性能、降低功耗也非常重要的。
另外，在闪存类型方面，铠侠将继续推进QLC的研发工作，它非常适合大容量应用，至于后续PLC和HLC的产品化，那是今后的话题。
针对SSD最常用的PCIe传输协议的发展趋势，铠侠也做了自己的判断，预计PCIe 6.0 SSD 2025年开始出现、2026年开始部署，2028年左右开始普及；PCIe 7.0 SSD则要到2028年才会出现，2029年开始部署。
其中，铠侠的BiCS9闪存就主要面向PCIe 6.0 SSD，BiCS10则可用于未来的PCIe 6.0乃至是PCIe 7.0 SSD。
PCIe 6.0标准规范早在2022年就已完成并发布，堪称PCIe问世近20年以来变化最大的一次，单路数据传输带宽继续翻番到64GT/s，SSD中最常用的PCIe 6.0 x4配置就可以提供32GB/s的高带宽。
PCIe 7.0标准还在制定中，预计今年内正式发布，带宽再次翻番，PCIe 7.0 x4 SSD的理论带宽就高达64GB/s。
UFS嵌入式存储也是本次峰会的焦点，包括面向手机移动端的，以及面向车载应用的，各家都拿出了不少新东西，铠侠最近就发布了业界首款车载UFS 4.0闪存。
铠侠表示，这款产品可以满足日益复杂的汽车设备对数据存储的需求，因为它作为一种高性能存储设备，能够使用最新接口快速读取和写入大量数据。
预计车载UFS 4.0将在未来加速普及，从而帮助厂商开发更强大的汽车设备和系统，包括自动驾驶，从而改善驾驶和车载信息娱乐体验，同时数据的可靠性和安全性也会大大提高。
目前，铠侠的UFS 4.0技术已经发展到第二代，顺序写入提高约18％，随机写入提高约30％，随机读取提高约13％，还支持高速链路启动序列（HS-LSS），可以帮助手机终端厂商进一步充分利用5G挽留过，加速数据下载和传输时间，改善用户体验。
对于整个NAND闪存市场，铠侠认为，在去年第四季度明显回暖的基础上，由于各家闪存厂商的产能调整，以及行业客户的库存调整，供求平衡仍有改善的趋势，预计市场将持续复苏。
AI PC和AI手机的存储需求虽然不断增加，但预计短期内PC和手机的市场状况仍不如预期，厂商需要忍耐，随时根据市场调配生产。
对于数据中心和企业市场，AI训练推理、应用对存储的需求都有着更好的正面推动作用，DeepSeek作为其中一个关键的环节更是加速了这一趋势，大大刺激了对高性能、大容量企业级SSD产品的需求，都有望在2025年下半年进一步恢复。
铠侠相信，从中长期来看，AI驱动的PC、手机、服务器对于闪存的需求都将持续增加，因此将继续开发大容量和高性能存储器，以满足这些需求，还会继续努力降低制造成本和加快重点产品的开发，以便无论市场状况如何，都能可靠地产生利润。
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